手机版 | 登陆 | 注册 | 留言 | 设首页 | 加收藏
当前位置: 网站首页 > 硬件 > 文章

紫光赵伟国:手机芯片全球第三 研发128层堆栈3D NAND闪存

时间:2018-08-25    点击: 次    来源:网络    作者:佚名 - 小 + 大

前两天在重庆的国际智能产业博览会上,紫光集团董事长赵伟国对高通等海外芯片公司开炮,建议这些公司在中国市场上要有远见一些,给中国企业一口饭吃。

同样在这次的会议上,赵伟国还谈到了紫光集团这几年的成绩,尤其是芯片产业上,紫光集团去年出货芯片34亿颗,手机芯片做到了全行业第三,而存储芯片上明年将量产64层堆栈的128Gb核心3D NAND闪存,还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存。

在重庆的国际智能产业博览会上,紫光集团董事长介绍了紫光的一些业绩,预计今年在云网业务上营收将达到600亿元,其中集成电路业务上营收200亿,网络、计算业务上营收400亿元。

在芯片行业,赵伟国提到紫光公司去年共出货34亿颗芯片,其中手机芯片从数量上来看已经是全球第三,仅次于高通、联发科。在手机芯片业务上,紫光集团主要是子公司紫光展锐,更确切地说就是展讯公司,根据展讯之前公布的数据,2016年他们出货了手机芯片6.7亿套,占全球份额的27%。

除了手机芯片,紫光展锐还是国内最大的智能卡(身份证、社保卡等)芯片供应商,每年出货六七亿套智能卡芯片,份额是第一位的。

在存储芯片方面,紫光旗下还有收购了武汉新芯科技之后重组的长江存储,赵伟国透露今年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存,明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存,同时还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存。

本月初的FMS 2018国际闪存会议上,长江存储也首次出席并发表了Xtacking堆栈结构的3D NAND新技术,I/O接口速度可达1.4Gbps,P/E寿命可达3000次。

2016年12月,以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设,其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,核心厂区占地面积约1717亩,预计项目建成后总产能将达到30万片/月,2023年年产值达1000亿人民币。

上一篇:GFX 5.0 Aztec测试发布:A11、骁龙845、麒麟970被榨干

下一篇:没有了

隐私声明 | 加入我们 | 免责声明 | 联系我们 | 关于我们
粤ICP备17104300号-1  |   QQ:6380155  |  地址:广州市天河区东圃二马路67号盈科智谷8栋113 | 广州市想象力信息科技有限公司  |  电话:13760811079  |